金属氧化物半导体集成电路

      金属氧化物半导体集成电路

      词语金属氧化物半导体集成电路

      拼音jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù

      注音ㄐㄧㄣ ㄕㄨˇ ㄧㄤˇ ㄏㄨㄚˋ ㄨˋ ㄅㄢˋ ㄉㄠˇ ㄊㄧˇ ㄐㄧˊ ㄔㄥˊ ㄉㄧㄢˋ ㄌㄨˋ

      基本解释
      简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低,但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。

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